Image

Вплив обробки поверхні CdTe іонами газів на властивості гетеропереходів MoOx/n-CdTe

Навчальний заклад: Коломийський ліцей №1 імені Василя Стефаника Коломийської міської ради Івано-Франківської області

Автор: Михайлищук Назар Тарасович

Відділення: Технічні науки

Секція: Матеріалознавство

Область: Івано-Франківська

Опис:

У роботі розглянуто вплив обробки поверхні CdTe іонами газів на електричні властивості гетеропереходів МоOx/n-CdTe. Виготовлено гетероструктури MoOx/n-CdTe методом реактивного магнетронного напилення тонких плівок MoOx на підкладки n-CdTe. Встановлено, що виготовлені гетеропереходи MoOx/n-CdTe з яскраво вираженими діодними властивостями з високим значенням коефіцієнту випрямлення струму. Досліджено електричні властивості гетероструктур MoOx/n-CdTe. Для гетероструктури MoOx/n-CdTe, травленої іонами азоту, максимальна напруга холостого ходу Voc = 0,41 В, густина струму короткого замикання Jsc = 0,51 мА/см2 і FF = 0,58 при освітленні білим світлом інтенсивністю Popt = 80 мВт/см2. Значення Voc = 0,28 В та Jsc = 0,23 мА/см2 FF = 0,41 відповідають гетероструктурі MoOx/n-CdTe, травленої іонами аргону. Аналіз ВФХ показав рівномірний розподіл нескомпенсованої донорної домішки у базовому матеріалі (CdTe) та формування діелектричного прошарку на межі розділу двох напівпровідників. Проведені дослідження в рамках роботи є перспективними для підвищення ефективності сонячних елементів, виготовлених на основі CdTe та зменшення їх вартості. Використовуючи травлення поверхні іонами азоту та аргону, створюється наноструктурована поверхня CdTe. Ці поверхні напівпровідників володіють низьким відбиванням світла і великою активною площею, що забезпечує краще поглинання світла і визначає їх успішне практичне застосування, а також при використанні такої поверхні можна не застосовувати антивідбиваючі шари, що приведе до зменшення вартості сонячних елементів.